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OztürkA nossa empresa recebeu o produto, a embalagem não está danificada, e a qualidade do chip também é original.
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Laura.Embora fosse a minha primeira vez a cooperar e eu estava preocupado em cometer erros, mas isto é muito para me preocupar,Eu tive uma experiência muito boa em receber o chip e em termos de serviço.
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Rajan.Bom produto, vou comprar da próxima vez se precisar de alguma coisa.
Pessoa de Contato :
Jon
Número de telefone :
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Saída da porta de lógica do pacote SOP-5 5V 10Mbit/Sec do dispositivo FODM611 fotoelétrico
Garantia: | 365days |
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Qualidade: | tipo original de 100% |
Detalhes da embalagem: | Caixa padrão |
EL814S1 (A) (a Turquia) a tensão 80V da saída do dispositivo fotoelétrico dissipou o poder 200mW
Número do modelo: | EL814S1 (A) (A TURQUIA) |
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Descrição: | EL814S1 (A) (a Turquia) tensão da saída 80V (máximo) |
Garantia: | 365days |
EL3H7 (A) (Ta) - poder 0.2W da dissipação do dispositivo fotoelétrico 80V de G
Número do modelo: | EL3H7 (A) (TA) - G |
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Descrição: | EL3H7 (A) (Ta) - tensão da saída de G 80V (máximo) |
Garantia: | 365days |
A C.C. de CNY17F3M Photoelectric Device entrou o pacote da saída 6-Pin MDIP do fototransistor
Número do modelo: | CNY17F3M |
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Descrição: | A C.C. entrou o pacote da saída 6-Pin MDIP do fototransistor |
Garantia: | 365days |
A C.A. do dispositivo FODM2705R2 fotoelétrico entrou o fototransistor 1.4V
Número do modelo: | FODM2705R2 |
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Descrição: | Pacote do pino MFP da saída 4 do fototransistor da entrada da C.A. |
Garantia: | 365days |
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